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2010.09.01

パワー半導体向け4インチシリコンカーバイド（SiC）
エピタキシャルウエハー量産および国内販売を開始
―　マイクロパイプフリー種結晶採用も開始

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PDF サイズ = 350KB

ダウコーニング社の、パワー半導体向け４インチ*1 シリコンカーバイド（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハー量産開始にともない、日本での販売を２０１１年１月より開始します。既に販売している３インチ*2 ＳｉＣウエハー、３インチＳｉＣエピタキシャルウエハー、４インチＳｉＣウエハーに加え、お客様のニーズに幅広く対応できる製品ラインアップを揃えます。また、３インチおよび４インチウエハー製造にマイクロパイプフリー種結晶採用を開始します。

ダウコーニング社の強みは、ＳｉＣウエハーの原料となる金属シリコンおよびＳｉＣエピタキシャル膜の製造に使用するガスを自社内調達可能なことです。ダウコーニング社および東レ・ダウコーニングでは、ＳｉＣ事業を注力事業の一つとして、今後も継続して製品の特性向上や、高いコストパフォーマンスを追求し、お客様の事業の成功に寄与していきます。

*1 直径約100mm　*2 直径約 76mm

 


■本件に関するお問い合わせ先
ビジネスセンター　TEL: 0120-77-6278



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